Tin ngành
Kioxia và SanDisk ra mắt chip nhớ QLC 3D thế hệ thứ 9 dung lượng 2Tb, tốc độ đạt 4.8Gb/s
(giờ Việt Nam)
Tóm tắt AI
Kioxia và SanDisk vừa giới thiệu chip nhớ QLC 3D thế hệ thứ 9 với dung lượng 2Tb, sử dụng kiến trúc CBA giúp tăng 33% tốc độ giao tiếp lên 4.8Gb/s, đáp ứng nhu cầu lưu trữ khổng lồ cho hạ tầng AI.
Bản dịch AI
Theo tin từ IT ngày 12 tháng 8, Kioxia và SanDisk hôm nay đã cùng công bố ra mắt bộ nhớ flash QLC 3D 2Tb hiệu năng cao thế hệ thứ 9. Công nghệ này hướng tới cơ sở hạ tầng AI và các kịch bản ứng dụng đòi hỏi dữ liệu cường độ cao, nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng tăng do khối lượng công việc AI mang lại.
Công nghệ QLC thế hệ thứ 9 áp dụng kiến trúc CMOS trực tiếp liên kết mảng (CBA - CMOS Direct Bonded Array) của hai công ty, kết hợp tấm wafer CMOS tiên tiến với nền tảng mảng ô nhớ đã được kiểm chứng.
So với sản phẩm QLC 2Tb thế hệ thứ 8 trước đó, công nghệ mới giới thiệu kiến trúc 6 mặt phẳng cùng nhiều thiết kế tăng cường hiệu năng, đạt được băng thông ghi và đọc cao hơn, đồng thời cải thiện hiệu suất tiêu thụ điện năng khi đọc/ghi. Theo thông tin IT nắm được từ thông cáo báo chí chính thức, tốc độ giao diện NAND của sản phẩm đạt 4,8Gb/s, tăng 33% so với thiết bị thế hệ thứ 8.
Giám đốc công nghệ của Kioxia, ông Eiji Miyajima cho biết, khi các ứng dụng AI mở rộng từ AI tạo sinh sang các tác nhân thông minh (AI agents) và AI vật lý, việc sử dụng dữ liệu ngày càng trở nên đa dạng và phức tạp. Công ty đang đẩy nhanh quá trình phát triển bộ nhớ flash thế hệ thứ 9 bằng cách kết hợp công nghệ ô nhớ trưởng thành với công nghệ CMOS mới nhất, nhằm đạt được hiệu năng cao trong khi vẫn duy trì hiệu quả đầu tư tối ưu.
Giám đốc công nghệ của SanDisk, ông Alper Ilkbahar cho biết, sự phổ biến nhanh chóng của AI đang thúc đẩy quá trình lặp lại của các giao diện lưu trữ, thị trường ngày càng có nhu cầu lớn đối với các công nghệ lưu trữ có khả năng tiến hóa nhanh hơn. Công nghệ QLC thế hệ thứ 9 đã chứng minh sự linh hoạt của kiến trúc CBA trong việc thúc đẩy đổi mới công nghệ CMOS và công nghệ lưu trữ một cách riêng biệt.
Bài đọc liên quan:
Kioxia và SanDisk công bố bộ nhớ flash QLC NAND 332 lớp thế hệ thứ 10, tốc độ giao diện đạt 4,8Gb/s
Cổ đông lớn nhất của Kioxia đổi chủ: Toshiba giảm tỷ lệ sở hữu, thực thể đầu tư liên kết với SK Hynix trở thành "ông vua mới"
Bài viết được AI dịch và tổng hợp tự động từ IT Home ITHome. Liên kết bài gốc ở phía trên. AIHOT.vn luôn dẫn nguồn đầy đủ — nếu bạn thấy điểm cần chỉnh sửa, hãy gửi ý kiến tại trang phản hồi.