SanDisk công bố lộ trình bộ nhớ HBF: Mẫu thử năm 2027, sản xuất hàng loạt năm 2028

Theo tin từ IT ngày 14 tháng 8, SanDisk và SK Hynix đã chính thức công bố tiêu chuẩn kỹ thuật HBF (High Bandwidth Flash) đầu tiên vào đầu tháng này. Theo báo cáo từ TrendForce, SanDisk đã tiết lộ thêm thông tin về HBF tại hội nghị nhà đầu tư diễn ra vào ngày hôm qua.

Được biết, HBF được kỳ vọng sẽ kết hợp băng thông đọc ở cấp độ HBM, đồng thời đạt dung lượng gấp 8-16 lần so với HBM, giúp lĩnh vực AI giải quyết vấn đề "bức tường bộ nhớ" (memory wall). Hiện tại, SanDisk đã hoàn tất quá trình tape-out cho sản phẩm HBF đầu tiên, dự kiến sẽ cung cấp các mẫu thử nghiệm ban đầu vào năm 2027 và đạt sản lượng thương mại vào năm 2028.

Dữ liệu nội bộ của SanDisk cho thấy, khi chạy các mô hình AI lớn, hệ thống HBF chỉ cần sử dụng 4 GPU để đạt được lưu lượng Token tương đương với hệ thống HBM sử dụng 8 GPU. Điều này có nghĩa là HBF có tiềm năng giảm bớt nút thắt cổ chai về bộ nhớ hiện nay, đồng thời giảm nhu cầu về GPU và cắt giảm chi phí xây dựng máy chủ AI.

Mặt khác, HBF sử dụng công nghệ gần giống với bộ nhớ flash NAND thay vì công nghệ xếp chồng DRAM. Mục tiêu của HBF là cung cấp băng thông tiệm cận HBM với chi phí thấp hơn, tuy nhiên độ trễ sẽ cao hơn.

Mizuho Securities cho rằng, HBF khó có khả năng thay thế hoàn toàn HBM, nhưng được kỳ vọng sẽ thúc đẩy việc áp dụng kiến trúc tách rời (decoupled architecture) trong suy luận AI. Hiện tại, các công ty như Google, Meta và SK Hynix đang thúc đẩy sự phát triển của công nghệ này.

Ngoài ra, phiên bản HBF đầu tiên hỗ trợ dung lượng tối đa 512GB, có thể sử dụng cấu hình xếp chồng 8 lớp hoặc 16 lớp, đồng thời cung cấp ba cấp độ băng thông (Ghi chú của IT: Grade 1–3) với băng thông dao động từ khoảng 0.4TB/s đến 3.0TB/s.