SK Hynix công bố chip nhớ NAND V10 với 375 lớp, tích hợp công nghệ liên kết wafer

Theo tin từ IT ngày 7 tháng 8, trong thông cáo báo chí tại hội nghị FMS 2026, SK Hynix xác nhận rằng thế hệ sản phẩm flash mới kế nhiệm dòng V9 "4D NAND" 321 lớp của hãng là V10 sẽ sử dụng thiết kế xếp chồng 375 lớp. Đây cũng là sản phẩm NAND đầu tiên của SK Hynix ứng dụng công nghệ wafer bonding (liên kết tấm bán dẫn).

SK Hynix tuyên bố V10 NAND đạt hiệu suất trên mỗi watt gấp 2,5 lần so với thế hệ tiền nhiệm, được tối ưu hóa cho các môi trường hạ tầng AI đòi hỏi sự cân bằng giữa hiệu suất và năng lượng. SK Hynix dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt các ổ cứng SSD doanh nghiệp dựa trên V10 NAND vào nửa đầu năm 2027 (2027H1).

Bên cạnh việc trình diễn wafer V10 1Tb TLC, SK Hynix còn giới thiệu hai mẫu chip thành phẩm: model 32DP 2CH xếp chồng 32 NAND Die, là loại TLC đầu tiên có kiểu đóng gói như vậy; trong khi đó, phiên bản đóng gói 4 kênh có diện tích chỉ 13,5mm × 12,5mm, nhỏ gọn hơn so với kích thước truyền thống 14mm × 18mm.

Ngoài ra, SK Hynix cũng giới thiệu giải pháp UFS 5.0 mang tên UG500 dựa trên V9H 1Tb TLC NAND: sản phẩm cung cấp hai mức dung lượng là 512GB và 1TB, với hiệu suất năng lượng cải thiện 19% so với UFS 4.1. Đồng thời, hãng cũng trưng bày các chip LPDDR6 dựa trên tiến trình 1c nm 16Gb Die.

Mẫu SSD PCIe Gen5 QLC tối ưu chi phí đầu tiên của SK Hynix là PQF02 cũng đã được ra mắt. Sản phẩm này dựa trên V9 QLC NAND, cung cấp các phiên bản 1TB và 2TB, sử dụng bộ điều khiển 4 kênh và hỗ trợ các kích thước M.2 từ 2230 đến 2280.