Lộ diện chip Snapdragon 8 Extreme Edition Pro thế hệ 6: Thiết kế tản nhiệt HBP độc đáo

Theo tin từ IT ngày 20 tháng 8, trang tin công nghệ NotebookCheck hôm nay (20/8) đã đăng tải bài viết cho biết con chip 2nm mạnh nhất trên Android, dòng chip flagship Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro của Qualcomm, đã xuất hiện trên nền tảng Xianyu.

Tại thời điểm IT thực hiện bài viết, trang sản phẩm này đã bị gỡ bỏ. Dựa trên hình ảnh được trang tin này chia sẻ, có tổng cộng 2 con chip, cả hai đều được khắc laser dòng chữ SM8975-100-BC, cho thấy đây là phiên bản mẫu kỹ thuật (ES) đầu tiên của dòng chip này hỗ trợ LPDDR5X. Hai con chip này mang số lô lần lượt là FC5528M5 và FX602R8T.

Số lô trên chip đóng gói thường chứa các thông tin như nhà máy sản xuất chip, địa điểm lắp ráp và ngày đóng gói:

F đại diện cho TSMC, có khả năng sử dụng tiến trình N2P.

C đại diện cho nhà máy của Amkor tại Hàn Quốc;

5 đại diện cho năm 2025;

52 đại diện cho tuần thứ 52, từ đó suy ra ngày đóng gói là khoảng cuối tháng 12 năm 2025.

Số lô thứ hai có cấu trúc tương tự, từ đó suy ra ngày đóng gói của lô chip này là khoảng tuần thứ 2 của năm 2026.

Những bức ảnh này cũng lần đầu tiên cho thấy thiết kế "khối tản nhiệt HBP" mà Qualcomm tham khảo từ chip Samsung Exynos 2600: một tấm tản nhiệt bên trong nằm giữa chip và nắp đóng gói.

Nguồn tin cho biết phương thức đóng gói bộ nhớ của Qualcomm khác với chip Exynos 2600. Samsung Exynos 2600 sử dụng kiểu đóng gói FBGA 563 chân nhỏ hơn để hỗ trợ bộ nhớ LPDDR5X.

Trong khi đó, dòng chip flagship của Qualcomm cần hỗ trợ đồng thời cả LPDDR6 và LPDDR5X, trong đó phiên bản LPDDR6 sử dụng kiểu đóng gói FBGA 1295 chân, còn phiên bản LPDDR5X sử dụng kiểu đóng gói FBGA 496 chân. Cả hai kiểu đóng gói này đều làm giảm không gian vật lý dành cho tấm tản nhiệt trên chip.