Samsung và Broadcom bắt tay 200 tỷ USD: Đẩy mạnh chip AI, HBM và tiến trình 2nm

Theo tin từ IT ngày 27 tháng 7, Samsung Electronics và Broadcom đã ký kết biên bản ghi nhớ tại Hội nghị thượng đỉnh AI diễn ra ở San Francisco, California, Hoa Kỳ vào ngày 25 vừa qua.

Hai doanh nghiệp dự kiến quy mô hợp tác trong lĩnh vực bộ nhớ và đúc chip (foundry) trong vòng 5 năm tính đến năm 2030 sẽ vượt quá 200 tỷ USD (Ghi chú của IT: theo tỷ giá hối đoái hiện tại tương đương khoảng 1,36 nghìn tỷ nhân dân tệ).

Về mảng bộ nhớ, Samsung và Broadcom có kế hoạch triển khai hợp tác chiến lược nhằm cung cấp các giải pháp bộ nhớ hàng đầu trong ngành, bao gồm cả HBM, để hỗ trợ cho các bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo thế hệ tiếp theo của Broadcom.

Trong lĩnh vực đúc chip, trọng tâm hợp tác giữa hai bên nằm ở việc Samsung cung cấp công nghệ quy trình 2nm và tiên tiến hơn cho các sản phẩm như truyền thông băng thông rộng không dây (WBC) của Broadcom. Phạm vi hợp tác này dự kiến sẽ mở rộng sang công nghệ đóng gói tiên tiến 2.3D / 2.5D dựa trên quy trình 2nm của Samsung, nhằm nâng cao hiệu suất và hiệu quả năng lượng cho các chip AI và chip mạng.

Phó Chủ tịch kiêm CEO của Samsung Electronics, đồng thời là người đứng đầu bộ phận Giải pháp Thiết bị (Device Solutions), ông Jun Young-hyun cho biết:

Trí tuệ nhân tạo đang thúc đẩy nhu cầu chưa từng có đối với các công nghệ bán dẫn tích hợp cao, bao gồm bộ nhớ, logic và đóng gói tiên tiến. Thông qua việc mở rộng hợp tác với Broadcom trong các lĩnh vực công nghệ then chốt này, chúng tôi kỳ vọng sẽ thúc đẩy sự phát triển của cơ sở hạ tầng AI trong tương lai, đồng thời tạo ra giá trị lớn hơn cho khách hàng.

Tuyên bố quảng cáo: Các liên kết chuyển hướng bên ngoài có trong bài viết (bao gồm nhưng không giới hạn ở siêu liên kết, mã QR, mật khẩu, v.v.) được sử dụng để truyền tải thêm thông tin và tiết kiệm thời gian lựa chọn, kết quả chỉ mang tính chất tham khảo. Tất cả các bài viết của IT đều bao gồm tuyên bố này.