Trường Tín (CXMT) công bố sản xuất hàng loạt chip LPDDR6, ra mắt lần đầu trên Xiaomi 18 Fold

Theo tin từ IT ngày 7 tháng 9, ChangXin Memory (CXMT) hôm nay chính thức công bố chip LPDDR6 do hãng tự nghiên cứu và phát triển đã đạt được sản lượng thương mại hóa. Sản phẩm này lần đầu tiên được trang bị trên mẫu điện thoại flagship gập Xiaomi 18 Fold, đánh dấu lần đầu tiên công nghệ LPDDR6 được ứng dụng thương mại trên điện thoại flagship trên phạm vi toàn cầu.

Theo thông báo mà IT nắm được, chip LPDDR6 được ChangXin sản xuất hàng loạt lần này có dung lượng mỗi die là 16Gb, tổng dung lượng chip đóng gói đạt 16GB, tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC LPDDR6 và sử dụng công nghệ đóng gói hoàn toàn mới 1295 Ball FBGA. Tốc độ truyền tải tối đa của chip đạt 12800Mbps, giúp tăng 60% băng thông so với LPDDR5X (vốn có tốc độ 10667Mbps). Mức tiêu thụ điện năng của sản phẩm này cũng giảm 20% so với thế hệ LPDDR5X tiền nhiệm, góp phần kéo dài đáng kể thời lượng pin cho các thiết bị di động.

Việc nghiên cứu và sản xuất hàng loạt LPDDR6 của ChangXin lần này ẩn chứa nhiều đổi mới quan trọng:

Về thiết kế: Sử dụng kiến trúc kênh đôi (dual-channel), cấu hình I/O gốc 24bit ở chế độ thông thường. Giao diện tốc độ cao của chip hỗ trợ điều chỉnh độc lập các thông số tiền nhấn (pre-emphasis) và cân bằng tín hiệu (DFE) cho từng chân tín hiệu, kết hợp với cơ chế đào tạo thông minh nhằm đảm bảo tối đa độ chính xác của tín hiệu và tính ổn định khi vận hành ở tốc độ cao. Về quản lý năng lượng, LPDDR6 áp dụng thiết kế DVFS đường ray kép (dual-rail), cung cấp khả năng tách biệt điện áp ở cấp độ phần cứng. Đồng thời, LPDDR6 cũng giới thiệu chế độ hiệu suất động để thực hiện lập lịch chiến lược. Những tính năng này giúp LPDDR6 luôn duy trì tỷ lệ hiệu năng trên năng lượng tối ưu dưới các mức tải khác nhau, cung cấp nền tảng bộ nhớ linh hoạt cho các thiết bị di động cần cân bằng giữa sức mạnh tính toán cao và thời lượng pin dài. Về độ tin cậy, bên cạnh các công nghệ Link ECC và On Die ECC sẵn có, LPDDR6 còn bổ sung tính năng đếm kích hoạt hàng (PRAC) để ngăn chặn tấn công Rowhammer, cùng với tính năng tự kiểm tra tích hợp (MBIST) và nhiều cơ chế khác nhằm đảm bảo tính toàn vẹn của dữ liệu và sự ổn định của hệ thống.

Đổi mới phối hợp giữa quy trình và thiết kế: Thông qua sự đổi mới phối hợp giữa quy trình sản xuất và thiết kế, hãng đã thực hiện hơn 100 hạng mục tối ưu hóa và đổi mới chuyên sâu đối với các mạch quan trọng và quy tắc thiết kế LDR trong khu vực CMOS, từ đó chế tạo thành công các bóng bán dẫn CMOS có kích thước nhỏ hơn và hiệu suất tốt hơn, đáp ứng nhu cầu nâng cấp về băng thông cao và tiêu thụ điện năng thấp của sản phẩm.

Về đóng gói: Công đoạn đóng gói hậu kỳ lần này sử dụng chuẩn 1295 Ball FBGA. Do diện tích chân hàn của loại đóng gói này lớn hơn 50% so với chuẩn 496 Ball của LPDDR5, độ khó trong sản xuất cũng tăng lên tương ứng. Trong khâu đúc nhựa, ChangXin đã sử dụng vật liệu High K EMC (hợp chất đúc epoxy dẫn nhiệt cao) để bao bọc và bảo vệ toàn bộ chip, giúp giảm khoảng 40% nhiệt trở của die, cải thiện đáng kể hiệu suất tản nhiệt khi LPDDR6 vận hành ở tải cao, từ đó đảm bảo hiệu năng của chip được phát huy ổn định.

Công ty cho biết, hiện nay nhu cầu về bộ nhớ hiệu năng cao, tiêu thụ điện năng thấp đang tiếp tục tăng trưởng. Là thế hệ sản phẩm tốc độ cao, tiêu thụ điện năng thấp mới nhất, các kịch bản ứng dụng của LPDDR6 trong tương lai sẽ bao gồm điện thoại di động, máy tính, ô tô thông minh, máy chủ biên (edge server), thiết bị đeo thông minh và robot.

Việc ChangXin Memory ra mắt thành công LPDDR6 là một cột mốc quan trọng trong quá trình tự nghiên cứu và phát triển bộ nhớ cao cấp của công ty. Sản phẩm hiện đang được đẩy nhanh quá trình thương mại hóa và ứng dụng quy mô lớn. Công ty sẽ tiếp tục tối ưu hóa hiệu năng, làm phong phú danh mục sản phẩm và hợp tác với các đối tác trong chuỗi cung ứng để cùng thúc đẩy việc ứng dụng công nghệ bộ nhớ LPDDR6 vào nhiều kịch bản thông minh hơn nữa.

Chuyên đề sự kiện ra mắt sản phẩm flagship mùa thu của Xiaomi