SK Hynix khởi công nhà máy HBM tại Mỹ: Dự kiến xuất xưởng lô hàng 'Made in USA' vào cuối 2029

Theo tin từ IT ngày 28 tháng 8, vào ngày 27 theo giờ địa phương, SK hynix đã tổ chức lễ động thổ xây dựng cơ sở sản xuất đóng gói tiên tiến cho bộ nhớ AI tại West Lafayette, bang Indiana, Hoa Kỳ.

Nhà máy quy trình hậu kỳ này có tổng vốn đầu tư hơn 4 tỷ USD (Ghi chú của IT: theo tỷ giá hiện tại tương đương khoảng 26,949 tỷ nhân dân tệ), dự kiến hoàn thành xây dựng phòng sạch vào tháng 10 năm 2028 và bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM thế hệ mới vào nửa cuối năm 2029, với tổng số nhân viên dự kiến vượt quá 1.000 người.

Do SK hynix không có năng lực sản xuất wafer DRAM tiền kỳ tại Hoa Kỳ, nên cơ sở đóng gói tại bang Indiana sẽ sử dụng các wafer tiên tiến được sản xuất tại Hàn Quốc.

SK hynix cũng sẽ xây dựng một "trung tâm thử nghiệm R&D đóng gói tiên tiến" đồng bộ với dây chuyền sản xuất, nhằm hợp tác với khách hàng, các trường đại học và đối tác thương mại để phát triển công nghệ đóng gói thế hệ tiếp theo, đồng thời thúc đẩy nhanh quá trình thử nghiệm nguyên mẫu và xác thực hiệu năng. Ngoài ra, SK hynix cũng đã ký biên bản ghi nhớ hợp tác nghiên cứu và phát triển với Đại học Purdue.