Nokia thâu tóm nhà máy sản xuất bán dẫn quang học, giải quyết cơn khát chip cho AI

Theo tin từ IT ngày 6 tháng 8, Nokia đã công bố báo cáo tài chính quý 2 và nửa đầu năm 2026 vào tháng 7 vừa qua, đồng thời thông báo về việc tiếp tục mở rộng kế hoạch sản xuất linh kiện quang học dài hạn của hãng.

Dự án nhà máy mới tại San Jose, Mỹ đang tiến triển thuận lợi và dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào cuối quý 4 năm 2026. Trong quý 2 năm 2026, Nokia cũng tuyên bố sẽ đầu tư vào nhà máy tại Pennsylvania, giúp nâng công suất kiểm thử và đóng gói tiên tiến lên gấp 10 lần kể từ quý 3 năm 2026. Những khoản đầu tư này nhằm đáp ứng nhu cầu dự kiến trong năm 2027 và 2028.

Là một phần trong kế hoạch nâng cao năng lực sản xuất dài hạn, Nokia đã đạt được thỏa thuận cuối cùng về việc mua lại khu phức hợp sản xuất bán dẫn của NXP tại Chandler, Arizona, Mỹ.

Sau khi nhận được sự chấp thuận từ các cơ quan quản lý liên quan, Nokia sẽ bắt đầu thuê một phần công suất của khu phức hợp này từ đầu năm 2027 và cải tạo thành cơ sở sản xuất chất bán dẫn Indium Phosphide (InP) dùng cho các linh kiện quang học. Sau đó, Nokia sẽ mua lại toàn bộ khu phức hợp này, dự kiến giao dịch sẽ hoàn tất vào quý 1 năm 2029.

Ghi chú của IT: Indium Phosphide (InP) là vật liệu bán dẫn hợp chất nhóm III-V quan trọng, sở hữu độ linh động điện tử cao và đặc tính quang học ưu việt, là vật liệu nền tảng cốt lõi cho kết nối quang trong các trung tâm dữ liệu AI, cũng như mạng 5G/6G.

Nokia cho biết, thương vụ này sẽ giúp tăng cường hơn nữa năng lực sản xuất bán dẫn hợp chất nội bộ của hãng thông qua việc tiếp nhận một đội ngũ dày dạn kinh nghiệm trong ngành. Ngoài ra, trong bối cảnh siêu chu kỳ trí tuệ nhân tạo đang phát triển mạnh mẽ, thương vụ này cũng giúp Nokia bổ sung năng lực sản xuất bán dẫn Indium Phosphide ngay tại thị trường Mỹ.

Đáng chú ý, ông Michael Hurlston, Giám đốc điều hành của Lumentum - doanh nghiệp hàng đầu trong lĩnh vực truyền thông quang học quốc tế, gần đây đã cảnh báo tại hội nghị RAISE Summit rằng khoảng cách cung cầu đối với Indium Phosphide hiện đã vượt qua cả DRAM và NAND, khiến nó trở thành một trong những yếu tố hạn chế quan trọng nhất đối với việc mở rộng kết nối quang trong các trung tâm dữ liệu AI.