Samsung cân nhắc mở rộng dây chuyền 4nm và 2nm để đáp ứng nhu cầu sản xuất HBM

Theo tin từ IT ngày 22 tháng 9, truyền thông Hàn Quốc MONEYTODAY đưa tin vào ngày hôm qua rằng mảng kinh doanh đúc chip (foundry) của Samsung Electronics đang cân nhắc xây dựng các dây chuyền sản xuất 4nm và 2nm mới. Động thái này nhằm mở rộng năng lực sản xuất tại hai tiến trình này để đáp ứng nhu cầu mạnh mẽ đối với các đế cơ sở (Base Die) tiên tiến dùng cho bộ nhớ HBM.

Đối với các sản phẩm tiêu chuẩn, mảng kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics đã xác nhận sẽ sử dụng Base Die 4nm cho thế hệ HBM4 (E), trong khi bộ nhớ HBM5 sẽ được nâng cấp lên Base Die 2nm. Đối với HBM tùy chỉnh, các Base Die này sẽ đảm nhận việc giảm tải các mạch chức năng từ chip chính, do đó cũng đòi hỏi yêu cầu rất cao về quy trình sản xuất.

Các thông tin trước đó cho biết, bộ phận đúc chip của Samsung đã dành một nửa năng lực sản xuất 4nm cho việc sản xuất Base Die HBM4, và nhu cầu về Base Die 4nm sẽ tiếp tục tăng cao khi hoạt động xuất xưởng HBM4 của mảng bộ nhớ được đẩy mạnh hơn nữa. Các dòng chip AI như NVIDIA Groq 3 cũng đang liên tục mở rộng sản xuất.

Về tiến trình 2nm, mảng Trải nghiệm Di động (Mobile eXperience) của Samsung Electronics có kế hoạch đưa các bộ vi xử lý Exynos do mảng System LSI thiết kế vào nhiều dòng điện thoại Galaxy S/Z hơn, điều này đòi hỏi năng lực sản xuất lớn hơn. Mặt khác, bộ phận đúc chip của Samsung cũng đã nhận được đơn đặt hàng từ các khách hàng quan trọng như Tesla.