SK Hynix chuẩn bị cho HBM4E: Tiến trình 1c nm dự kiến trở thành công nghệ DRAM chủ lực vào đầu 2027

Theo tin từ IT ngày 7/9, truyền thông Hàn Quốc ChosunBiz đưa tin vào hôm nay rằng, quy trình DRAM 10nm thế hệ thứ 6 (1c nm) của SK Hynix dự kiến sẽ vượt qua 1b nm để trở thành quy trình sản xuất bộ nhớ chủ lực của doanh nghiệp này vào đầu năm 2027.

Từ quý 1/2026 đến quý 1/2027, tỷ trọng của quy trình 1c nm trong tổng công suất sản xuất DRAM của SK Hynix qua từng quý lần lượt là 10%, 13%, 24%, 34% và 35%; trong khi đó, tỷ trọng công suất của quy trình 1b nm sẽ đạt 33% vào đầu năm 2027, tạo nên điểm giao cắt. Giới chuyên môn dự báo tỷ trọng công suất DRAM 10nm thế hệ thứ 6 của Samsung Electronics và Micron sẽ lần lượt đạt 16% và 19% vào cuối quý 2/2026.

SK Hynix vẫn sử dụng DRAM Die 1b nm cho bộ nhớ HBM4, trong khi dòng HBM4E sẽ được nâng cấp lên DRAM Die 1c nm. Việc sớm thiết lập đủ năng lực sản xuất 1c nm sẽ giúp quá trình chuyển đổi từ HBM4 sang HBM4E trên thị trường HBM diễn ra suôn sẻ hơn.