Intel đạt cột mốc 1 triệu tấm wafer với công nghệ High-NA EUV, dẫn đầu ngành bán dẫn

Theo tin từ IT ngày 8 tháng 9, Intel thông báo vào thứ Hai theo giờ địa phương rằng số lượng tấm wafer 300mm được xử lý bằng thiết bị quang khắc cực tím có khẩu độ số cao (High-NA EUV) của hãng đã chính thức vượt mốc một triệu tấm. Cột mốc quan trọng này đạt được chỉ chưa đầy hai năm rưỡi kể từ khi thiết bị High-NA EUV đầu tiên của hãng được lắp ráp hoàn thiện.

Intel hiện sở hữu hai máy nguyên mẫu ASML Twinscan EXE:5000 và ít nhất một máy phiên bản sản xuất hàng loạt EXE:5200B.

Vào tháng 2 năm 2025, Intel đã xử lý tích lũy khoảng 30.000 tấm wafer bằng thiết bị High-NA EUV; đến tháng 9 năm 2026, con số này đã vượt quá một triệu tấm.

Theo dữ liệu được ASML công bố trong báo cáo tài chính quý 1 tháng 4 năm 2026, tổng số wafer được xử lý bởi tất cả các hệ thống High-NA EUV trên toàn cầu vào thời điểm đó đã vượt quá 500.000 tấm, với tỷ lệ khả dụng đạt trên 80%. Điều này có nghĩa là sản lượng xử lý của riêng Intel đã vượt tổng sản lượng của tất cả các khách hàng khác trong ngành cộng lại.

Đầu năm nay, Intel đã hoàn tất việc xác thực High-NA EUV thông qua nút quy trình Intel 18A. Công nghệ này hiện đang được sử dụng để sản xuất dòng vi xử lý Core Ultra Panther Lake.

Vào tháng 7 năm nay, ASML tuyên bố Intel đã trở thành doanh nghiệp đầu tiên trên thế giới đạt được quy mô xuất xưởng chip logic sử dụng High-NA EUV. Một số lớp quy trình Intel 18A đã hoàn thành chứng nhận kép High-NA EUV, với tỷ lệ năng suất đạt mức tương đương nền tảng NXE EUV hiện tại.

Tuy nhiên, High-NA EUV hiện vẫn đang đối mặt với những hạn chế do kích thước mặt nạ quang học (reticle/mask) gây ra. Để vượt qua rào cản này, Intel đang dẫn đầu thúc đẩy ngành công nghiệp chuyển sang sử dụng mặt nạ quang học lớn hơn với kích thước 6×12 inch. Kích thước này cho phép đạt được trường nhìn hoàn chỉnh 26×33mm trong một lần phơi sáng. Tuy nhiên, sự thay đổi này đòi hỏi những điều chỉnh lớn trong toàn bộ hệ sinh thái mặt nạ quang học, bao gồm các khâu như phôi mặt nạ, lắng đọng, khắc, kiểm tra, đo lường, làm sạch, màng bảo vệ mặt nạ (pellicle), thiết bị ghi mặt nạ và hệ thống xử lý. Các thiết bị High-NA EUV cũng cần được sửa đổi hoặc thiết kế lại để tương thích với mặt nạ quang học kích thước lớn hơn.

Ghi chú của IT: Theo lộ trình của ASML, các thiết bị High-NA EUV ra mắt vào khoảng năm 2033 trở đi vẫn dựa trên thiết kế mặt nạ quang học 6×6 inch và giải pháp ghép nối (stitching).

Hiện tại, cả ASML và Intel đều chưa xác nhận liệu các máy quang khắc High-NA EUV hiện có hoặc đang trong kế hoạch có thể được cải tiến để hỗ trợ mặt nạ quang học 6×12 inch hay không.