Samsung ưu tiên 60% năng lực sản xuất V-NAND cho Nvidia, đẩy mạnh lộ trình chip nhớ V9 và V10

Theo tin từ IT ngày 22 tháng 7, truyền thông Hàn Quốc sedaily đã đăng tải bài viết vào ngày 20 tháng 7, báo cáo rằng trong lĩnh vực cung ứng bộ nhớ flash NAND, Samsung đang mở rộng hợp tác với NVIDIA bằng cách cung cấp hơn 60% công suất sản xuất V-NAND (Vertical NAND) cho hãng này.

Lưu ý của IT: V-NAND là một kiến trúc bộ nhớ flash giúp tăng dung lượng và mật độ thông qua việc xếp chồng các ô nhớ theo chiều dọc. So với NAND phẳng, kiến trúc này có thể chứa nhiều lớp lưu trữ hơn trên cùng một diện tích chip, thường được sử dụng trong các ổ SSD cấp doanh nghiệp, lưu trữ trung tâm dữ liệu và các sản phẩm lưu trữ di động dung lượng cao.

Báo cáo chỉ ra rằng cùng với sự mở rộng quy mô của các máy chủ AI, quy mô dữ liệu ngữ cảnh tạm thời (Key-Value cache, còn gọi là KV cache) liên tục tăng lên, bắt đầu hình thành nút thắt cổ chai về dữ liệu. NVIDIA hy vọng sẽ giảm bớt hạn chế này thông qua Context Memory Storage (CMX), và Samsung đã trở thành nhà cung cấp NAND cho giải pháp này.

CMX mà NVIDIA hiện đang sử dụng cho máy chủ AI được trang bị 576 ổ SSD, với tổng dung lượng lưu trữ đạt 9600TB. Các chuyên gia trong ngành dự đoán rằng nhu cầu NAND cho CMX sẽ đạt 35 triệu TB vào năm 2026 và sẽ tăng vọt lên hơn 100 triệu TB vào năm 2027.

Với sản lượng NAND của Samsung trong năm nay dự kiến đạt khoảng 250 triệu TB, hãng này đang lên kế hoạch tận dụng năng lực sản xuất đẳng cấp thế giới của mình để trở thành nhà cung cấp cốt lõi cho CMX của NVIDIA.

Về kế hoạch dây chuyền sản xuất, công suất V-NAND của Samsung Electronics hiện đạt hơn 100.000 tấm wafer mỗi tháng, trong đó V9 (286 lớp) chiếm 60%, tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn (yield) đã tăng lên trên 80% và bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt ổn định; tỷ trọng của V8 đã giảm xuống dưới 40%, và từ năm ngoái đến nay, công suất đang nhanh chóng chuyển dịch sang V9.

Thông tin cho biết V10 có thể cung cấp số lớp xếp chồng cao hơn, cho phép NVIDIA cấu hình các ổ SSD có dung lượng lớn hơn trong cùng một mô-đun CMX, từ đó tiếp nhận thêm dữ liệu ngữ cảnh tràn ra từ GPU.

Về lộ trình công nghệ, báo cáo cho biết Samsung đang nghiên cứu V11 NAND dành cho CMX của NVIDIA, với chiều cao xếp chồng tối đa có thể đạt tới 500 lớp, V11 nhiều hơn V10 khoảng 100 lớp; mật độ lưu trữ của V10 cao hơn 50% so với V9 (286 lớp).

Tuyên bố quảng cáo: Các liên kết chuyển hướng bên ngoài trong bài viết (bao gồm nhưng không giới hạn ở siêu liên kết, mã QR, mật khẩu, v.v.) được sử dụng để truyền tải thêm thông tin, tiết kiệm thời gian lựa chọn, kết quả chỉ mang tính chất tham khảo, tất cả các bài viết của IT đều bao gồm tuyên bố này.