Ngành
Lãnh đạo Samsung dự báo HBM sẽ chiếm gần 30% tổng công suất ngành DRAM vào năm tới
(giờ Việt Nam)
Tóm tắt AI
Phó chủ tịch điều hành Samsung Electronics, Kim Tae-woo, dự báo tỷ trọng sản xuất HBM sẽ tăng từ 20% lên gần 30% tổng công suất DRAM toàn ngành vào năm sau, gây áp lực lên nguồn cung DRAM tiêu chuẩn.
Chính văn · Bản dịch AI
IT ngày 29 tháng 9, theo Reuters, một giám đốc điều hành của Samsung Electronics cho biết, bộ nhớ băng thông cao (HBM) dự kiến sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer của các nhà sản xuất chip DRAM vào năm tới, tăng so với mức khoảng 20% hiện nay.
Kim Taewoo, Phó chủ tịch điều hành của Samsung Electronics (SSNLF), cho biết HBM đang cạnh tranh công suất wafer với DRAM thông thường. Điều này có nghĩa là việc mở rộng quy mô sản xuất HBM có khả năng sẽ làm giảm nguồn cung DRAM tiêu chuẩn.
Theo tìm hiểu của IT, HBM là linh kiện then chốt trong năng lực tính toán AI, được tạo thành từ nhiều lớp chip nhớ xếp chồng lên nhau theo chiều dọc, cho phép bộ xử lý đọc dữ liệu khổng lồ với tốc độ cực cao. Thị trường này hiện chủ yếu do ba doanh nghiệp dẫn đầu là SK Hynix của Hàn Quốc, Samsung Electronics và Micron Technology của Mỹ.
Bài viết được AI dịch và tổng hợp tự động từ IT Home. Liên kết bài gốc ở phía trên. Dữ liệu đồng bộ qua API công khai được ghi nguồn tại AI HOT (canonical) ↗. AIHOT.vn luôn dẫn nguồn đầy đủ — nếu bạn thấy điểm cần chỉnh sửa, hãy gửi ý kiến tại trang phản hồi.