92
Tin ngành
Đột phá công nghệ: Transistor Gallium Nitride mới chịu áp 4000V, mở đường cho xe điện và trung tâm dữ liệu
(giờ Việt Nam)
Tóm tắt AI
Các nhà nghiên cứu tại EPFL đã phát triển transistor GaN chịu được điện áp gần 4000V, gấp 5 lần thiết bị thương mại hiện nay, giúp tối ưu hiệu suất năng lượng cho xe điện và hệ thống AI.
Bài viết được AI dịch và tổng hợp tự động từ IT Home ITHome. Liên kết bài gốc ở phía trên. AIHOT.vn luôn dẫn nguồn đầy đủ — nếu bạn thấy điểm cần chỉnh sửa, hãy gửi ý kiến tại trang phản hồi.