Samsung dự kiến sản xuất đế HBM bằng tiến trình 2nm, tiếp tục lộ trình tự chủ công nghệ

Theo tin từ IT ngày 14 tháng 8, trang tin công nghệ Wccftech hôm nay đưa tin rằng Samsung sẽ quy hoạch lại một dây chuyền sản xuất đang trong quá trình xây dựng để phục vụ việc chế tạo Base Die (lớp đế) cho HBM (bộ nhớ băng thông cao).

Theo nguồn tin từ giới chuyên môn, dây chuyền sản xuất này của Samsung sẽ sử dụng quy trình chế tạo 2nm tiên tiến và dự kiến sẽ đi vào hoạt động sau hai năm nữa, do đó vẫn còn khả năng điều chỉnh trong tương lai.

Base Die của HBM liên tục được nâng cấp, với thay đổi lớn đầu tiên xuất hiện ở thế hệ HBM3 và HBM3E. Khi tốc độ truyền dữ liệu tăng vọt so với các thế hệ tiền nhiệm, các nhà sản xuất lớn bắt đầu sử dụng quy trình của các xưởng đúc bán dẫn (foundry) để chế tạo Base Die, áp dụng các quy trình logic từ 20nm đến 12nm.

Đối với HBM4, do sử dụng bus hiệu năng cao hơn và nhiều TSV (lỗ xuyên silicon) hơn (chú thích của IT), Base Die sẽ tiếp tục được nâng cấp, và các nhà sản xuất như TSMC hay Samsung Foundry bắt đầu đảm nhận công việc chế tạo Base Die cho HBM.

Ngoài Samsung, SK Hynix cũng sẽ hợp tác với các xưởng đúc bán dẫn để sản xuất chip HBM. Công ty này đã bắt đầu hợp tác với TSMC, đơn vị có thể cung cấp quy trình N12 hoàn thiện cũng như quy trình N5 tiên tiến để sản xuất các loại chip liên quan đến HBM.