Samsung đầu tư hàng chục nghìn tỷ won xây nhà máy DRAM mới tại Giheung để đón đầu làn sóng AI

Theo tin từ IT ngày 15 tháng 7, tờ Korea Economic Daily đưa tin Samsung Electronics có kế hoạch xây dựng một nhà máy sản xuất tấm wafer DRAM mới tại khu phức hợp Giheung, tỉnh Gyeonggi, Hàn Quốc. Dự án này được quy hoạch với công suất 100.000 tấm wafer mỗi tháng, với tổng vốn đầu tư lên tới hàng chục nghìn tỷ won.

Khu đất này vốn được quy hoạch để xây dựng trung tâm nghiên cứu và phát triển (R&D), việc điều chỉnh thành cơ sở sản xuất được thị trường nhìn nhận là động thái của Samsung Electronics nhằm đáp ứng nhu cầu chip nhớ đang tăng cao trong bối cảnh bùng nổ đầu tư vào cơ sở hạ tầng AI. Theo báo cáo, dự án này có thể khởi công sớm nhất vào quý 3 năm 2026. Sau thông tin này, giá cổ phiếu của Samsung Electronics đã tăng 7%.

Khu phức hợp Giheung mang ý nghĩa biểu tượng trong lịch sử phát triển chất bán dẫn của Samsung Electronics. Đi vào hoạt động từ năm 1983, đây là một trong những cơ sở sản xuất chất bán dẫn lâu đời nhất tại Hàn Quốc và cũng là điểm khởi đầu cho mảng kinh doanh chất bán dẫn của Samsung. Năm 1992, chính tại nơi đây, Samsung đã phát triển thành công chip 64Mb DRAM đầu tiên trên thế giới, từ đó xác lập vị thế dẫn đầu trên thị trường chip nhớ toàn cầu.

Trong những năm gần đây, khu phức hợp này chủ yếu đảm nhận việc sản xuất các tiến trình trưởng thành, với năng lực công nghệ có thể đạt tới 8nm. Năm 2022, Samsung đã khởi công xây dựng một trung tâm R&D quy mô lớn mang tên NRD-K tại Giheung, với diện tích khoảng 109.000 mét vuông và vốn đầu tư khoảng 20 nghìn tỷ won (Ghi chú của IT: theo tỷ giá hiện tại tương đương khoảng 90,72 tỷ nhân dân tệ), dự kiến hoàn thiện hoàn toàn trong giai đoạn từ năm 2028 đến 2030. Một dây chuyền sản xuất chuyên dụng cho R&D tại trung tâm này đã đi vào hoạt động từ giữa năm 2025, tập trung vào nghiên cứu và phát triển các loại bộ nhớ thế hệ mới và chất bán dẫn hệ thống. Nhà máy DRAM mới được lên kế hoạch lần này là một cơ sở sản xuất quy mô lớn được xây dựng trên một khu đất riêng biệt trong khuôn viên, nằm ngoài phạm vi của trung tâm R&D này.

Nhìn từ góc độ vĩ mô hơn, Samsung Electronics đang đồng thời thúc đẩy mở rộng năng lực sản xuất tại nhiều cơ sở. Khu phức hợp khổng lồ Pyeongtaek hiện là căn cứ cốt lõi cho sản xuất HBM, đồng thời Samsung cũng đang đẩy mạnh xây dựng hai nhà máy sản xuất chất bán dẫn tiên tiến tại Gwangju, tỉnh Jeolla Nam, với tổng vốn đầu tư lên tới 400 nghìn tỷ won (theo tỷ giá hiện tại tương đương khoảng 1,81 nghìn tỷ nhân dân tệ). Ngoài ra, Samsung còn có kế hoạch đẩy sớm thời gian đưa nhà máy đầu tiên trong cụm bán dẫn Yongin, tỉnh Gyeonggi đi vào hoạt động lên năm 2029. Trong lĩnh vực HBM, Samsung Electronics đang nỗ lực bắt kịp SK Hynix – đơn vị đã thiết lập quan hệ cung ứng sớm với NVIDIA và đang chiếm ưu thế. Gần đây, Samsung Electronics cũng đã lắp đặt một dây chuyền mới với công suất 100.000 tấm wafer mỗi tháng tại nhà máy P4 ở Pyeongtaek, có thể được sử dụng để sản xuất HBM thế hệ thứ sáu (tức HBM4).

Thông báo quảng cáo: Các liên kết chuyển hướng bên ngoài trong bài viết (bao gồm nhưng không giới hạn ở siêu liên kết, mã QR, mật khẩu, v.v.) được sử dụng để truyền tải thêm thông tin, giúp tiết kiệm thời gian sàng lọc, kết quả chỉ mang tính chất tham khảo. Tất cả các bài viết trên IT đều bao gồm tuyên bố này.