Neo Semiconductor ra mắt thiết kế X-SRAM 2T: Đột phá dung lượng bộ nhớ đệm gấp 5 lần

Theo tin từ IT ngày 5 tháng 8, doanh nghiệp IP bán dẫn lưu trữ 3D Neo Semiconductor đã công bố thiết kế SRAM hai bóng bán dẫn (2T) mang tên X-SRAM tại sự kiện FMS 2026, tuyên bố có thể đạt dung lượng bộ nhớ đệm trên chip gấp 5 lần so với các giải pháp hiện tại.

IT được biết, các loại SRAM thương mại phổ biến hiện nay được cấu tạo từ 6 bóng bán dẫn, điều này hạn chế khả năng mở rộng bộ nhớ đệm trên chip, trong khi bộ nhớ đệm SRAM tốc độ cao dung lượng lớn lại rất phù hợp cho các tác vụ trí tuệ nhân tạo như suy luận và giải mã. Neo Semiconductor cho biết họ có thể nâng dung lượng SRAM trên chip lên mức GB.

Neo Semiconductor đã trình diễn 4 cấu trúc ô nhớ X-SRAM khác nhau: giải pháp Type B tương thích trực tiếp với quy trình logic tiên tiến GAA Nanosheet hiện nay; trong khi Type A / C / D mỗi loại có trọng tâm riêng và cần sự điều chỉnh phối hợp về quy trình sản xuất.

Doanh nghiệp này cũng đưa ra tầm nhìn về 3D X-SRAM dạng xếp chồng, hứa hẹn đạt dung lượng SRAM gấp 20~40 lần so với các thiết kế hiện tại.

Tuyên bố quảng cáo: Các liên kết chuyển hướng bên ngoài trong bài viết (bao gồm nhưng không giới hạn ở siêu liên kết, mã QR, mật khẩu, v.v.) được sử dụng để truyền tải thêm thông tin, tiết kiệm thời gian chọn lọc, kết quả chỉ mang tính chất tham khảo, tất cả các bài viết của IT đều bao gồm tuyên bố này.