Lộ điểm hiệu năng Exynos 2700: Chip 10 nhân mạnh mẽ cho dòng Samsung Galaxy S27

Theo tin từ IT ngày 5 tháng 9, trang tin công nghệ sammyfans hôm qua (4 tháng 9) đã đăng tải bài viết cho biết điểm GeekBench của mẫu thử nghiệm kỹ thuật (engineering sample) Samsung Exynos 2700 đã bị rò rỉ, với điểm đơn nhân đạt 4.328 và điểm đa nhân đạt 14.700 trên phiên bản 6.7.1.

Lưu ý của IT: Các điểm số trên đến từ danh sách Geekbench 6 nội bộ. Trong cơ sở dữ liệu công khai chỉ có 1 bản ghi được tải lên vào tháng 4, với điểm đơn nhân là 2.603 và điểm đa nhân là 10.350 trên phiên bản 6.6.0. Do sự khác biệt về phiên bản, hai bản ghi này không thể so sánh trực tiếp với nhau.

Theo thông tin từ trang kết quả benchmark mới nhất, các thông số này cơ bản khớp với hình ảnh Die Shot của Exynos 2700 đã bị rò rỉ trước đó. Phần CPU sử dụng thiết kế cụm 1+4+1+4 với tổng cộng 10 nhân, được chia thành 2 nhóm:

Nhóm 1 bao gồm 1 nhân Arm C1-Ultra với xung nhịp 3.36 GHz và 4 nhân C1-Pro với xung nhịp 2.88 GHz.

Nhóm 2 bao gồm 1 nhân Arm C2-Ultra với xung nhịp 4.24 GHz và 4 nhân C2-Pro với xung nhịp 3.74 GHz.

Về phần đồ họa, con chip này có thể được trang bị GPU Xclipse 970. Nó cũng có khả năng tích hợp NPU chuyên dụng để xử lý các tác vụ AI trên thiết bị di động. Đồng thời, Exynos 2700 được cho là sẽ hỗ trợ bộ nhớ LPDDR6, đáp ứng nhu cầu về băng thông bộ nhớ của các thiết bị di động thế hệ tiếp theo.

Về các mẫu điện thoại tương thích, dự kiến Samsung Galaxy S27 bản tiêu chuẩn và Galaxy S27+ sẽ là hai mẫu máy đầu tiên ra mắt với chip Exynos 2700. Ngoài ra, cũng có thông tin cho rằng tại một số thị trường, Galaxy S27 Pro và Galaxy S27 Ultra cũng sẽ sử dụng chip Exynos 2700.

Bài viết liên quan:

AMD RDNA 5 đạt mức 3.4GHz, chip Samsung Exynos 2700 dự kiến sẽ là thiết bị đầu tiên trang bị

Lộ diện chip Samsung Exynos 2700: Tiến trình SF2P, thiết kế lõi kép, ra mắt trên dòng Galaxy S27

Mẫu thử nghiệm kỹ thuật Samsung Exynos 2700 xuất hiện trên Geekbench, xung nhịp nhân siêu lớn đạt 4.24GHz

Đột phá 4GHz: Lộ diện chip tự phát triển Exynos 2700 của Samsung với xung nhịp 4.20GHz, sử dụng kiến trúc SbS để tăng cường tản nhiệt