SK Hynix tái khởi động nhà máy NAND tại Đại Liên, kỳ vọng tăng 50% năng lực sản xuất

Theo tin từ IT ngày 11 tháng 8, tờ *Seoul Economic Daily* của Hàn Quốc hôm nay (11/8) đưa tin, SK Hynix sẽ khởi động lại việc xây dựng nhà máy NAND flash số 2 tại Đại Liên vốn đã bị đình trệ từ lâu, qua đó nâng tổng công suất sản xuất tại địa phương này lên khoảng 50%.

Sau khi khởi công cách đây bốn năm, nhà máy số 2 tại Đại Liên đã bị bỏ hoang trong thời gian dài do thị trường chip nhớ suy thoái. SK Hynix dự kiến sẽ đưa thiết bị sản xuất vào nhà máy trước cuối năm nay và chính thức đi vào vận hành trong nửa đầu năm tới.

Theo thông tin từ ngành công nghiệp bán dẫn, từ nửa đầu năm nay, nhà máy số 2 tại Đại Liên đã nhận được nguồn vốn đầu tư trở lại từ Solidigm – công ty con chuyên về NAND của SK Hynix, đồng thời các công trình xây dựng cũng được tái khởi động đồng bộ.

Thiết bị sản xuất sớm nhất sẽ được đưa vào từ tháng 11 và hệ thống sản xuất hàng loạt sẽ được thiết lập vào nửa đầu năm sau. Được biết, dây chuyền sản xuất mới có thể đạt công suất khoảng 50.000 tấm wafer mỗi tháng. Cộng với 100.000 tấm mỗi tháng từ nhà máy số 1 hiện có tại Đại Liên, tổng công suất NAND của SK Hynix tại khu vực này sẽ tăng khoảng 50%.

Việc dự án đầu tư tại Đại Liên bị đình trệ suốt bốn năm nay được tái khởi động có liên quan mật thiết đến sự phục hồi nhanh chóng của thị trường NAND. Sự bùng nổ của các trung tâm dữ liệu AI đã thúc đẩy nhu cầu về ổ cứng thể rắn dành cho doanh nghiệp (eSSD) tăng vọt, khiến giá NAND tăng gần 10 lần trong vòng một năm.

Năm 2021, SK Hynix đã mua lại mảng kinh doanh NAND của Intel và thành lập Solidigm, đồng thời tiếp quản nhà máy số 1 và quỹ đất tại Đại Liên, sau đó bắt đầu xây dựng nhà máy số 2 vào tháng 5 năm sau. Tuy nhiên, sau đó ngành công nghiệp chip nhớ rơi vào suy thoái, cộng với việc Mỹ thắt chặt các hạn chế về thiết bị bán dẫn đối với Trung Quốc, nhà máy số 2 tại Đại Liên đã phải ngừng thi công trong thời gian dài sau khi hoàn thành phần khung chính.

Sau khi nhà máy số 2 tại Đại Liên hoạt động trở lại, SK Hynix sẽ áp dụng chiến lược bố trí song song trong mảng kinh doanh NAND: Đại Liên sẽ tập trung vào các sản phẩm có số lớp thấp với công nghệ trưởng thành, trong khi Cheongju sẽ tập trung sản xuất các sản phẩm tiên tiến có số lớp cao. Dự kiến Đại Liên sẽ chủ yếu sử dụng cấu trúc Floating Gate (FG) trưởng thành của Intel cho các dòng NAND 100 lớp để nâng cao hiệu suất sản xuất; còn các sản phẩm trên 300 lớp sẽ chủ yếu được sản xuất tại các cơ sở trong nước Hàn Quốc như M17 ở Cheongju.

SK Hynix trước đó đã thông báo sẽ đầu tư 19,1 nghìn tỷ won vào nhà máy wafer M17 tại Cheongju (Ghi chú của IT: theo tỷ giá hiện tại tương đương khoảng 91,393 tỷ nhân dân tệ), với kế hoạch đưa phòng sạch đầu tiên vào hoạt động và sản xuất các sản phẩm NAND thế hệ tiếp theo vào cuối năm 2028. Một chuyên gia trong ngành cho biết: "Nhà máy số 2 tại Đại Liên dự kiến sẽ sử dụng các thiết bị tương tự như nhà máy số 1, với công suất đầu vào wafer dự kiến đạt từ 40.000 đến 60.000 tấm mỗi tháng."