ChangXin Memory bắt đầu thử nghiệm sản xuất HBM3E, dự kiến sớm đạt quy mô thương mại

Theo tin từ IT ngày 31 tháng 8, tờ The Information hôm nay đưa tin, ChangXin Memory Technologies (CXMT) đã bắt đầu công tác sản xuất thử nghiệm rủi ro (risk production) đối với bộ nhớ HBM3E.

Theo báo cáo, CXMT hiện đang có kế hoạch mở rộng năng lực sản xuất. Dự kiến đến cuối năm nay, năng lực sản xuất DRAM của công ty sẽ đạt 350.000 tấm wafer mỗi tháng và sẽ tiếp tục tăng trong những năm tới. Hiện tại, quy mô sản xuất HBM3E của CXMT vẫn còn rất hạn chế, điều này cho thấy họ chỉ mới bước vào giai đoạn sản xuất thử nghiệm rủi ro.

Mặc dù thông số kỹ thuật cụ thể của HBM3E từ CXMT vẫn chưa được công bố, nhưng theo tiêu chuẩn của JEDEC (Ghi chú của IT: Hiệp hội Công nghệ Bán dẫn), HBM3E sẽ sử dụng độ rộng băng thông 1024-bit, tốc độ mỗi chân (pin) dao động từ 9.2Gbps đến 12.4Gbps, với hầu hết các cấu hình tiêu chuẩn nhắm tới mức 9.6Gbps.

Với cấu hình điển hình 9.6Gbps, tổng băng thông của HBM3E có thể đạt 1.2TB/s. Trong trường hợp sử dụng cấu trúc xếp chồng 8 lớp (8-Hi) với mỗi chip DRAM đơn lớp 24Gb, dung lượng của một stack đơn lẻ sẽ là 24GB; nếu sử dụng cấu trúc xếp chồng 12 lớp, dung lượng có thể đạt tới 36GB.

Xét việc CXMT trước đây đã chứng minh khả năng chuyển đổi nhanh chóng từ sản xuất thử nghiệm rủi ro sang sản xuất hàng loạt quy mô lớn, nên rất có khả năng HBM3E của hãng sẽ bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt trong vài tuần tới.

Ngoài ra, CXMT còn sở hữu lợi thế rõ rệt về tốc độ xây dựng phòng sạch (cleanroom) cho nhà máy sản xuất wafer. Họ chỉ mất 12 tháng để xây dựng một phòng sạch, trong khi các nhà sản xuất khác thường phải mất hai năm.