Samsung trình làng V10 BV-NAND hơn 400 lớp: Mật độ lưu trữ tăng vọt 58%

Theo tin từ IT ngày 5 tháng 8, Samsung hôm nay đã đăng tải bài viết trên blog, công bố lộ trình bộ nhớ 3D dành cho cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo (AI) tại Hội nghị Bộ nhớ và Lưu trữ Tương lai (FMS) 2026, trong đó nhấn mạnh những tiến bộ mới nhất về DRAM, bộ nhớ flash NAND, lưu trữ cấp doanh nghiệp, đóng gói tiên tiến và sản xuất bán dẫn.

Trong bài phát biểu chủ đề "Dẫn đầu làn sóng cách mạng AI: Đổi mới 3D trong kiến trúc bộ nhớ và lưu trữ", ông Jin-Yub Lee, Phó chủ tịch điều hành kiêm Giám đốc sản phẩm và công nghệ flash tại Samsung, cùng ông Kyungryun Kim, Phó chủ tịch kiêm Giám đốc dự án nhóm thiết kế DRAM, đã trình bày lộ trình phát triển kiến trúc bộ nhớ tương lai của công ty.

Sản phẩm ý tưởng:

Về các sản phẩm ý tưởng, Samsung đã giới thiệu zHBM và zNAND-O, cả hai đều là những sản phẩm đầu tiên trong ngành.

Để đáp ứng nhu cầu tính toán AI tiên tiến, zHBM phá vỡ các thiết kế truyền thống bằng cách xếp chồng trực tiếp HBM (bộ nhớ băng thông cao) theo chiều dọc lên trên bộ tăng tốc AI. Bước đi này giúp rút ngắn khoảng cách truyền dữ liệu, nâng cao băng thông và hiệu suất năng lượng, đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu siêu tốc cho việc huấn luyện và suy luận AI quy mô lớn.

Theo trích dẫn từ bài blog của IT, khi kết hợp với hệ thống giao diện thế hệ mới, hiệu suất của zHBM đạt khoảng gấp 8 lần so với HBM5. Nhờ công nghệ liên kết wafer thế hệ mới, mật độ bộ nhớ của zHBM cao hơn HBM5 gấp 10 lần, hiệu suất năng lượng tăng gấp 3 lần và điện trở nhiệt giảm hơn một nửa.

Ngoài ra, zHBM hỗ trợ thiết kế tùy chỉnh cho khách hàng, cho phép tích hợp IP tùy chỉnh vào lớp trung gian giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI để mở rộng dung lượng bộ nhớ và nâng cao hiệu suất của bộ tăng tốc.

zNAND-O là giải pháp NAND hiệu năng cao thế hệ mới được xây dựng dựa trên công nghệ V-NAND, hiện đang phát triển các phiên bản 4 lớp và 8 lớp. Giải pháp này kết hợp hiệu quả không gian cao, cải thiện hiệu suất I/O và đặc tính độ trễ thấp, được tối ưu hóa cho môi trường AI biên nhằm hỗ trợ các ứng dụng AI thời gian thực, đòi hỏi dữ liệu lớn.

Ra mắt kiến trúc V10 BV-NAND, số lớp vượt ngưỡng 400 lớp

Samsung ra mắt V10 BV-NAND, sử dụng kiến trúc Bonding V-NAND hoàn toàn mới. Đã 13 năm kể từ khi giới thiệu công nghệ V-NAND đầu tiên trong ngành tại Flash Memory Summit năm 2013, bước đi này đánh dấu một cột mốc quan trọng khác trong đổi mới NAND của hãng.

V10 BV-NAND sở hữu hơn 400 lớp, sử dụng công nghệ liên kết wafer để xếp chồng các đơn vị bộ nhớ, giúp mật độ bộ nhớ tăng khoảng 58% so với thế hệ trước (V9).

Ngoài việc tăng số lớp, hiệu suất đọc, ghi và I/O của nó đều vượt trội so với thế hệ trước, cung cấp hỗ trợ NAND dung lượng lớn, hiệu năng cao cho các hệ thống và ứng dụng AI trong tương lai.

Lộ trình bộ nhớ AI và giải pháp chìa khóa trao tay toàn diện

Samsung đã trình diễn danh mục sản phẩm bộ nhớ và lưu trữ AI bao gồm HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM và PM1763. Tháng 2 năm nay, Samsung đã tiên phong sản xuất hàng loạt HBM4 bằng cách sử dụng DRAM 1c và công nghệ đế 4nm. Tháng 5, Samsung là đơn vị đầu tiên giao mẫu HBM4E cho khách hàng toàn cầu.

LPDDR5X-PIM là bộ nhớ LPDDR đầu tiên trong ngành áp dụng công nghệ xử lý trong bộ nhớ (Processing-in-Memory), nhằm cải thiện hiệu suất di chuyển dữ liệu và tiêu thụ điện năng bằng cách thực hiện xử lý dữ liệu ngay bên trong bộ nhớ. Về lưu trữ doanh nghiệp, hãng đã trưng bày PM1763 và BM1773 để đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng tăng của các trung tâm dữ liệu AI.

Thông báo quảng cáo: Các liên kết ngoài trong bài viết (bao gồm nhưng không giới hạn ở siêu liên kết, mã QR, mật khẩu, v.v.) được sử dụng để truyền tải thêm thông tin, tiết kiệm thời gian sàng lọc, kết quả chỉ mang tính chất tham khảo. Tất cả các bài viết của IT đều bao gồm tuyên bố này.