SK Hynix và SanDisk chuẩn bị ra mắt tiêu chuẩn bộ nhớ băng thông cao (HBF) tại FMS 2026

Theo tin từ IT ngày 4 tháng 8, SK Hynix thông báo sẽ hợp tác cùng Sandisk để công bố tiêu chuẩn kỹ thuật đầu tiên của công nghệ lưu trữ thế hệ mới mang tên High Bandwidth Flash (HBF) tại sự kiện Flash Memory Summit 2026 (FMS 2026) diễn ra ở California, Mỹ.

Lưu ý từ IT: HBF là một tầng lưu trữ mới nằm giữa HBM và ổ cứng thể rắn (SSD), không chỉ sở hữu khả năng truyền tải dữ liệu tốc độ cao tương tự HBM mà còn có thể mở rộng dung lượng đáng kể dựa trên công nghệ NAND flash. Trong bối cảnh AI suy luận (AI inference) trở nên phổ biến và nhu cầu xử lý dữ liệu tăng vọt, các đặc tính về băng thông cao và khả năng mở rộng dung lượng của HBF đang thu hút sự chú ý lớn từ ngành công nghiệp.

Tiêu chuẩn kỹ thuật vừa được công bố là thành quả đầu tiên sau khoảng 6 tháng kể từ khi SK Hynix khởi động hợp tác tiêu chuẩn hóa HBF với Sandisk vào tháng 8 năm ngoái và thành lập liên minh vào tháng 2 năm nay. Tiêu chuẩn này định nghĩa hai cấu hình dung lượng, sử dụng lần lượt 8 lớp và 16 lớp chip NAND xếp chồng, hỗ trợ dung lượng tối đa lên tới 512GB; đồng thời thiết lập tiêu chuẩn băng thông theo ba cấp độ (Grade 1~3), với khả năng truyền tải dữ liệu dao động từ khoảng 0.4TB/s đến 3.0TB/s.

Một điểm đáng chú ý là HBF sử dụng kết nối UCIe theo tiêu chuẩn ngành để giao tiếp với bộ vi xử lý, tạo nền tảng cho việc kết nối linh hoạt giữa HBF với các loại bộ vi xử lý khác nhau như GPU và CPU.

Tiêu chuẩn này được công bố chính thức bởi OCP (Open Compute Project) - tổ chức hợp tác công nghệ trung tâm dữ liệu mở lớn nhất thế giới, qua đó trở thành tiêu chuẩn mở chung cho toàn ngành thay vì là tiêu chuẩn riêng của doanh nghiệp.

SK Hynix cho biết, lấy đây làm cơ hội, công ty dự định đẩy nhanh việc triển khai quy mô lớn HBF trong thị trường lưu trữ AI và tăng tốc xây dựng hệ sinh thái. Hiện tại, liên minh HBF đã quy tụ được Google và Tenstorrent. Trong tương lai, công ty sẽ tiếp tục dựa trên tinh thần hợp tác mở để không ngừng mở rộng hệ sinh thái, đồng thời nâng cao độ chín của công nghệ và mức độ chấp nhận của thị trường.

Đồng thời, SK Hynix sẽ thiết lập gian hàng tại FMS 2026 để lần đầu tiên công bố wafer và sản phẩm NAND flash 4D 375 lớp thế hệ thứ mười (V10) đang trong quá trình phát triển thuận lợi. So với thế hệ trước, hiệu suất trên mỗi watt của sản phẩm này đã tăng 2,5 lần, đặc biệt phù hợp với các môi trường hạ tầng AI đòi hỏi khắt khe về hiệu năng và hiệu suất năng lượng (ví dụ như trung tâm dữ liệu). Công ty dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt ổ cứng thể rắn doanh nghiệp (eSSD) hiệu năng cao, dung lượng lớn dựa trên công nghệ NAND flash này vào đầu năm tới.

Tuyên bố quảng cáo: Các liên kết chuyển hướng bên ngoài (bao gồm nhưng không giới hạn ở siêu liên kết, mã QR, mật khẩu, v.v.) có trong bài viết được sử dụng để truyền tải thêm thông tin, giúp tiết kiệm thời gian chọn lọc, kết quả chỉ mang tính chất tham khảo. Tất cả các bài viết của IT đều bao gồm tuyên bố này.