Samsung được cho là đang phát triển chip nhớ HBM 8 lớp tùy chỉnh cho Nvidia với tốc độ 17-18Gbps

Cảm ơn các bạn độc giả IT là và đã gửi thông tin đóng góp!

Theo tin từ IT ngày 31 tháng 8, tờ "Seoul Economic Daily" của Hàn Quốc đưa tin vào ngày 28 (giờ địa phương) rằng Samsung Electronics đang phát triển một sản phẩm bộ nhớ HBM tùy chỉnh cho NVIDIA. Sản phẩm này sử dụng thiết kế xếp chồng thấp 8 lớp, đồng thời hỗ trợ tốc độ chân (pin rate) cao từ 17~18Gbps.

Lưu ý của IT:

Bài viết gốc gọi đây là cả HBM4E và NVHBM. Tuy nhiên, xét từ cách diễn đạt của NVIDIA, NVHBM và HBM4E tiêu chuẩn chắc chắn sẽ sử dụng thiết kế Base Die (lớp đế) khác biệt, còn việc liệu các DRAM Die có thể giống nhau hay không vẫn còn là một dấu hỏi.

Các mẫu thử nghiệm bộ nhớ HBM4E mà Samsung Electronics từng giới thiệu trước đây hỗ trợ tốc độ chân tối đa là 16Gbps.

Về mặt kỹ thuật, thiết kế xếp chồng thấp có thể giảm lượng DRAM Die sử dụng, nâng cao tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn (yield), từ đó hạ thấp chi phí sản xuất và tăng quy mô xuất xưởng; trong khi tốc độ cao hơn có thể giải quyết triệt để hơn vấn đề "bức tường bộ nhớ" (memory wall) trên các bộ tăng tốc AI, giúp cải thiện lưu lượng thực tế.

Đối với Samsung Electronics, việc đồng thời vận hành cả mảng kinh doanh bộ nhớ và đúc chip (foundry) giúp họ sở hữu năng lực phát triển HBM tùy chỉnh toàn diện, tạo ra lợi thế tự nhiên trong việc điều chỉnh thiết kế Base Die cũng như khả năng tương thích giữa Base Die và DRAM Die.

Đọc thêm:

"Tin đồn: NVIDIA điều chỉnh nhu cầu bộ nhớ HBM4, tăng tỷ trọng thiết kế xếp chồng thấp 8Hi"