Thủ thuật · X：Rohan Paul (@rohanpaul_ai)
UBS nâng dự báo giá DRAM/NAND: Chi tiêu cho AI thúc đẩy chu kỳ tăng giá
Chu kỳ chi tiêu cho AI đang đẩy giá bộ nhớ vào giai đoạn tăng trưởng mạnh mẽ hơn dự kiến. UBS dự báo giá DRAM và NAND sẽ tiếp tục tăng mạnh trong quý 3 và quý 4, đồng thời cảnh báo tình trạng thiếu hụ
Chu kỳ chi tiêu cho AI đang đẩy giá bộ nhớ vào giai đoạn tăng trưởng mạnh mẽ hơn dự kiến. UBS dự báo giá DRAM và NAND sẽ tiếp tục tăng mạnh trong quý 3 và quý 4, đồng thời cảnh báo tình trạng thiếu hụt nguồn cung DRAM có thể kéo dài đến ít nhất là năm 2028.
Nội dung dịch chi tiết
UBS vừa điều chỉnh tăng dự báo đối với thị trường DRAM và NAND, cho rằng chu kỳ chi tiêu vốn cho AI đang thúc đẩy giá bộ nhớ tăng mạnh hơn so với các kỳ vọng trước đó.
Theo dự báo mới nhất, giá DRAM được kỳ vọng sẽ tăng 32% trong quý 3 và 18% trong quý 4. Đối với NAND, mức tăng tương ứng là 30% trong quý 3 và 12% trong quý 4.
Sự bùng nổ nhu cầu từ làn sóng AI không chỉ tác động đến bộ nhớ băng thông cao (HBM) mà còn kéo theo sự tăng trưởng đồng loạt của cả DRAM và NAND.
UBS nhận định rằng tình trạng thiếu hụt nguồn cung trên thị trường DRAM sẽ tiếp tục kéo dài ít nhất cho đến năm 2028.
Nguyên nhân chính là do tốc độ tăng trưởng nhu cầu vào năm 2027 được dự báo sẽ vượt xa đáng kể so với khả năng mở rộng nguồn cung của thị trường.
Ý chính từ bài gốc
- UBS nâng dự báo giá DRAM và NAND do tác động từ chi tiêu vốn cho AI.
- Giá DRAM dự kiến tăng 32% trong Q3 và 18% trong Q4; NAND tăng 30% trong Q3 và 12% trong Q4.
- Nhu cầu AI thúc đẩy sự tăng trưởng đồng loạt của HBM, DRAM và NAND.
- Tình trạng thiếu hụt nguồn cung DRAM được dự báo kéo dài ít nhất đến năm 2028.
- Nhu cầu thị trường năm 2027 dự kiến vượt xa tốc độ tăng trưởng nguồn cung.