# Khủng hoảng thiếu hụt bộ nhớ: Chi phí wafer 1b DRAM đắt hơn 54% so với tiến trình N2 của TSMC

- Nguồn: IT Home
- Thời gian phát hành: 2026-09-25 11:57 (giờ Việt Nam)
- Điểm AI: 85/100
- Link AIHOT.vn: https://aihot.vn/items/1752cd8d0c084c9b
- Link gốc: https://www.ithome.com/1/007/119.htm

## Tóm tắt AI

Dữ liệu từ Kernel Insight cho thấy chi phí sản xuất 1b DRAM đang cao hơn đáng kể so với tiến trình 2nm của TSMC do nhu cầu khổng lồ từ máy chủ AI, gây ra tình trạng giá bộ nhớ tăng cao.

## Thân bài

[IT](https://www.ithome.com/) ngày 25 tháng 9 đưa tin, dữ liệu mới nhất từ tổ chức phân tích bán dẫn Hàn Quốc Kernel Insight cho thấy, chi phí mỗi milimét vuông của tấm wafer 1b DRAM đạt 0,654 USD (tỷ giá hiện tại khoảng 4,4 Nhân dân tệ), cao hơn 54% so với mức 0,424 USD (tỷ giá hiện tại khoảng 2,8 Nhân dân tệ) của tấm wafer N2 từ TSMC.

Lưu ý của IT: Tấm wafer 1b DRAM đề cập đến bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động DDR5 được sản xuất bằng nút quy trình 1b (cấp độ sub-10nm). 1b đại diện cho kích thước đặc trưng của đơn vị lưu trữ đã bước vào phạm vi dưới 10 nanomet, với mật độ bit khoảng 0,436 Gb trên mỗi milimét vuông.

![](https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2026/9/abc14519-051e-4888-bbb9-426e23a5b399.jpg@s_2,w_820,h_615)

Tấm wafer 1b DRAM chủ yếu được sử dụng để sản xuất các mô-đun bộ nhớ DDR5, đặc biệt là các loại bộ nhớ dung lượng cao cho máy tính để bàn, máy tính xách tay và máy chủ, chủ yếu dùng cho các sản phẩm sau:

- Bộ nhớ DDR5 cho máy tính để bàn: Dung lượng mỗi thanh từ 16 GB, 32 GB, 64 GB, một số mẫu cao cấp đã đạt 128 GB thậm chí 512 GB.
- Bộ nhớ DDR5 cho máy tính xách tay: Bao gồm chuẩn SO-DIMM và các chip LPDDR5/DDR5 hàn trên bo mạch, được sử dụng cho các dòng laptop mỏng nhẹ hiệu năng cao và laptop chơi game.
- Bộ nhớ máy chủ / máy trạm: Các mô-đun bộ nhớ sửa lỗi ECC như RDIMM, LRDIMM, dung lượng mỗi thanh có thể đạt 256 GB, giới hạn bộ nhớ của toàn bộ hệ thống máy chủ đã được đẩy lên mức 12 TB.
- Hỗ trợ bộ nhớ băng thông cao (HBM): Một phần quy trình 1b cũng được sử dụng cho các chip nền xếp chồng của bộ nhớ chuyên dụng cho bộ tăng tốc AI như HBM3E.

Quy trình sản xuất DDR5 đơn giản hơn nhiều so với tấm wafer silicon nút N2 của TSMC. N2 thuộc quy trình tiên tiến cấp độ 2 nanomet, đòi hỏi các kỹ thuật phức tạp như phơi sáng đa lớp và quang khắc cực tím (EUV). Mặc dù 1b DRAM thuộc cấp độ dưới 10 nanomet, nhưng cấu trúc tương đối đơn giản, độ khó trong việc kiểm soát tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn thấp hơn.

Theo suy luận thông thường, chi phí trên mỗi đơn vị diện tích của các sản phẩm có quy trình đơn giản hơn sẽ thấp hơn, nhưng thị trường hiện tại lại cho thấy một cục diện định giá hoàn toàn ngược lại. Tình trạng thiếu hụt nguồn cung DRAM phổ thông kéo dài đã trở thành yếu tố cốt lõi dẫn đến sự đảo ngược giá này. Làn sóng xây dựng máy chủ AI liên tục tiêu thụ bộ nhớ băng thông cao và các mô-đun DDR5 dung lượng lớn, trong khi tốc độ mở rộng năng lực sản xuất của ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn lại chậm hơn tốc độ tăng trưởng nhu cầu.

Mô hình định giá hiện tại khó có thể trở lại trạng thái bình thường trong ngắn hạn. CEO của SK Hynix đã công khai tuyên bố rằng ngành công nghiệp AI không thể tồn tại nếu thiếu bộ nhớ, và công ty đang đẩy nhanh việc bố trí bộ nhớ thế hệ tiếp theo tại các cơ sở sản xuất toàn cầu. Chủ tịch Acer, ông Chen Wei, dự đoán tình trạng thiếu hụt bộ nhớ sẽ không kéo dài đến năm 2030, nhưng giá cả sẽ vẫn tiếp tục tăng cho đến khi hạ nhiệt vào giữa năm 2027.

![](https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2026/9/eb31859d-5c98-4f6c-8f24-406272bf23fd.jpg?x-bce-process=image/watermark,text_QUnnlJ_miJA,type_RlpMYW5UaW5nSGVpU0JHQg==,size_28,color_ffffffdd,skw_1,skc_00000051,g_7,blr_50,bls_50,x_11,y_11)