Kioxia khởi công xây dựng nhà máy K3 tại Nhật Bản, dự kiến vận hành vào năm 2029

Theo tin từ IT ngày 28/8, Kioxia thông báo vào ngày 27 (giờ địa phương) rằng hãng đã bắt đầu công tác chuẩn bị mặt bằng và các công việc xây dựng liên quan cho tòa nhà sản xuất K3 (nhà máy Fab3) tại cơ sở ở thành phố Kitakami, tỉnh Iwate, Nhật Bản. Nhà máy sản xuất NAND tiên tiến mới này dự kiến sẽ đi vào vận hành trong năm tài chính 2029.

Các kế hoạch chi tiết cho Fab3, bao gồm tiến độ xây dựng và đầu tư thiết bị, sẽ được xác định dựa trên xu hướng thị trường. Kế hoạch đầu tư cho Fab3 còn phụ thuộc vào sự hỗ trợ từ chính phủ.

Kioxia cho biết, dưới sự thúc đẩy của trí tuệ nhân tạo (AI) tác nhân/vật lý/tại biên (edge AI), thị trường bộ nhớ flash dự kiến sẽ tiếp tục tăng trưởng đáng kể trong trung và dài hạn. Công ty có kế hoạch mở rộng năng lực sản xuất thông qua việc xây dựng nhà máy Fab3 tại Kitakami để đảm bảo nguồn cung ổn định các sản phẩm bộ nhớ flash tiên tiến, từ đó đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường.

Tin tức liên quan:

"Kioxia-SanDisk thông báo đầu tư thêm hơn 31 tỷ USD tại Nhật Bản trong 6 năm tới"